东坑热处理技术的发展非常迅速，现在不仅直径200～300毫米硅片工艺线已离不开快速热处理技术，而且还开发了快速加热锗硅外延系统。由于锗硅/硅异质结薄膜材料是新一代的硅基材料，该材料制作的高性能异质结晶体管(HBT)可替代移动通讯领域GaAs微波功率器件，具有广阔的应用前景。
    东坑热处理在国家自然科学基金和“九五”重点科技攻关计划的资助下，科研人员又利用RHT技术开发成功“红外快速加热高真空锗硅化学气相外延系统”。该系统在总体结构设计上采用内外腔、石英方腔生长室及石墨加热器，在国际上属独创，达到世界先进水平。
    东坑热处理要抓住机遇，通过市场机制，引入风险投资，开发新的RHT设备，争创民族品牌，使RHT技术与设备不仅占领国内市场，而且出口到国际市场，为国家争光，为民族争气。